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真空鍍膜設(shè)備背壓檢漏法

作者:  來源:  更新時間:2019-1-8 8:57:35  點擊次數(shù):
背壓檢漏法是一種充壓檢漏與真空檢漏相結(jié)合的方法,真空鍍膜設(shè)備中多用于封離后的電子器件、半導(dǎo)體器件等密封件的無損檢漏技術(shù)中。

其檢漏過程基本上可分為充壓、凈化和檢漏三個步驟:
1、充壓過程是將被檢件在充有高壓示漏氣體的容器內(nèi)存放一定時間,如被檢件有漏孔,示漏氣體就可以通過漏孔進入被檢件的內(nèi)部,并且將隨浸泡時間的增加和充氣壓力的增高,被檢件內(nèi)部示漏氣體的分壓力也必然會逐漸升高。
2、凈化過程是采用干燥氮氣流或干燥空氣流在充壓容器外部或在其內(nèi)部噴吹被檢件。如不具備氣源時也可使被檢件靜置,以便去除吸附在被檢件外表面上的示漏氣體。在凈化過程中,因為有一部分氣體必然會從被檢件內(nèi)部經(jīng)漏孔流失,從而導(dǎo)致被檢件內(nèi)部示漏氣體的分壓力逐漸下降,而且凈化時間越長,示漏氣體的分壓降就越大。
3、檢漏過程則是將凈化后的被檢件放入真空室內(nèi),將檢漏儀與真空室相連接后進行檢漏。
 
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