真空鍍膜機,真空鍍膜機廠家介紹鍍膜控制模式波長
真空鍍膜機,真空鍍膜機廠家介紹我們所用的膜層材料為SiNO系材料,圖1為鍍SiN膜所得的實驗結(jié)果。曲線1為鍍膜前外延片的反射譜,曲線2和3 分別對應(yīng)膜厚為95 nm和135 nm的情形,膜厚度用橢偏儀測出。從曲線1可知,片子的e-lh峰在840 nm,e-h(huán)h峰 在848 nm,模式波長的位置在832 nm。對于常通型調(diào)制器,模式波長的位置應(yīng)在e ̄hh峰的長波長方向;而常關(guān)型 器件,模式波長的位置應(yīng)在e-hh峰附近,而且頂部必須鍍減反膜,否則器件會工作在飽和區(qū),降低器件的調(diào)制特 性。由于模式波長位置不合適,先采用鍍SiNO減反膜的方法來移動模式波長。
真空鍍膜機,真空鍍膜機廠家介紹由曲線2膜厚95 nm的反射譜可知,模式波長發(fā)生了移動,但由于表面反射率降低,ASFP腔的諧振吸收作用和激 子吸收相比,作用比較弱,因而在曲線上看不到明顯的模式波長位置。用橢偏儀測量可知,膜層折射率為1.8左右 ,由理論計算可知模式波長大約移動10 nm,在842 nm左右。鍍膜后,e-hh峰處的反射率明顯降低,此時雖然模式 波長沒有在e-hh峰位置,但由于模式波長距激子峰比較近使得e-hh峰附近的反射率降低很多。
真空鍍膜機,真空鍍膜機廠家介紹由曲線3膜厚為135 nm的反射譜可知,與鍍膜前的模式波長相比,鍍膜后模式波長反而減小了,從原來的832 nm 變到820 nm。膜層折射率為1.8,從以上的理論分析可知,當(dāng)折射率為1.8,膜厚增加到135 nm時,模式波長會下 降約10 nm,曲線3應(yīng)屬于這種情況。
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