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真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問(wèn)題

作者:  來(lái)源:  更新時(shí)間:2019-10-7  點(diǎn)擊次數(shù):
蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜,具體則包括很多種類(lèi),包括真空離子蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,溶膠凝膠法等等。

一、對(duì)于蒸發(fā)鍍膜:
一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。

厚度均勻性主要取決于:
1?;牧吓c靶材的晶格匹配程度
2、基片表面溫度
3. 蒸發(fā)功率,速率
4. 真空度
5. 鍍膜時(shí)間,厚度大小。

組分均勻性:
蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證,具體可以調(diào)控的因素同上,但是由于原理所限,對(duì)于非單一組分鍍膜,蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

晶向均勻性:
1。晶格匹配度
2?;瑴囟?/span>
3。蒸發(fā)速率

濺射鍍膜又分為很多種,總體看,與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之一。
濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld,組分均勻性容易保持,而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差(因?yàn)槭敲}沖濺射),晶向(外沿)生長(zhǎng)的控制也比較一般。
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